应用案例

　　实验名称：量子点薄膜的非接触无损原位检测

　　实验内容：量子点薄膜作为核心功能层，在发光二极管、显示器等多种光电器件中起着关键作用。量子点薄膜厚度的不均匀性必然会影响器件的整体光电特性。然而，传统的方法很难在不引入额外损伤的情况下快速获得其厚度分布的相关信息。本文提出了一种非接触式无损检测量子点薄膜厚度的方法。在高电场作用下，量子点薄膜会发生光致发光猝灭现象，这与量子点薄膜的厚度以及施加的电压大小有关。

　　研究方向：光电器件的工艺检测

　　测试设备：ATA-7025高压放大器、位移台，光学夹具，金属探针，信号发生器等。

　　实验过程：

　　在紫外UV灯激发量子点薄膜光致发光后，在金属探针上施加由功率放大器ATA-7025放大后的高压正弦信号，并将电压加在量子点薄膜两端。随后观察量子点薄膜的光致发光光谱变化情况，研究施加的电压大小以及量子点薄膜厚度对于猝灭程度的影响。而对于量子点薄膜阵列，通过CCD摄像系统采集施加电压前后的发光图像并进行图像处理，观察不同厚度像素的发光强度变化情况。

　　实验结果：

　　通过改变施加在量子点薄膜上的电压，从而能够观察其光致发光的猝灭程度情况。在2800Vpp-4000Vpp的电压范围内，随着电压升高，量子点薄膜的猝灭程度逐渐增大。此外，将猝灭效率作为施加电压的函数进行拟合，可以看出拟合效果较好，说明量子点薄膜的光致发光猝灭程度与施加的电压大小存在某种函数关系。根据这种实验规律，对于具有不同厚度的量子点薄膜阵列，可以通过观察其光致发光显微图像的变化来可视化量子点薄膜的厚度信息。

　　功率放大器推荐：ATA-7025高压放大器

　　图：ATA-7025高压放大器指标参数

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